澜起科技(688008)：互连类芯片持续增长，二季度业绩超预期
澜起科技公告2026年半年度报告，2026H1营收33.35亿元、同比+26.66%，归母净利润19.97亿元、同比+72.33%。
推荐理由：半年报披露二季度营收18.75亿元、归母净利润11.50亿元，互连类芯片收入同环比双增可作景气跟踪。
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今日 1 条标的新闻公告精选关注度8484
华尔街见闻 · 要闻关注度6161 三星：明年HBM将占DRAM产能近30%，传统内存供应或进一步收紧
三星电子执行副总裁Kim Taewoo预计，2027年HBM将占全球DRAM晶圆总产能的近30%，高于目前约20%的水平，因HBM与传统DRAM共用晶圆产能，传统DRAM供应空间将被进一步压缩。
新浪财经 · 滚动关注度4949 江波龙（301308.SZ）副总经理朱宇减持套现超2亿元
江波龙（301308.SZ）副总经理朱宇于9月22日至9月29日通过集中竞价减持59.84万股，占总股本0.1393%，减持均价339.63元/股，套现约2.03亿元，减持计划已实施完毕。减持后朱宇持股179.51万股，占总股本0.4178%，公司称不会导致控制权变化。2025年江波龙营收227.66亿元，同比增长30.36%，归母净利润14.23亿元，同比增长185.41%。
标的新闻公告精选关注度8484 4个月44亿元！兆易创新加码长鑫DRAM代工
兆易创新公告将2026年度与长鑫集团的日常关联交易预计额度由57.11亿元上调至78.54亿元，并预计2027年1—4月DRAM采购代工额度为44.11亿元。该关联交易2025年实际发生约11.8亿元，2026年1—8月已发生35.96亿元。公司将额度上调归因于DRAM代工价格上行以及利基型DRAM和定制化存储新产品陆续推出，并称2026年一季度利基型DRAM对总收入的贡献已提升至三分之一左右。
推荐理由：兆易创新上调长鑫DRAM代工额度，2027年前4个月44亿元采购量级对应利基型DRAM业绩弹性。
华尔街见闻 · A股快讯关注度4040 江波龙：副总经理朱宇减持59.84万股，减持计划实施完毕
江波龙公告，副总经理朱宇减持计划已实施完毕，2026年9月22日至9月29日通过集中竞价累计减持59.84万股，占目前A股总股本的0.1393%。本次减持价格区间为310.50元/股至357.50元/股，减持均价339.63元/股。
华尔街见闻 · A股快讯关注度5656 TrendForce上修2027年HBM价格展望，预估Blended ASP年增121%
TrendForce集邦咨询上修2027年HBM价格展望，预估Blended ASP年增幅度将达121%。该机构研究显示，AI服务器需求持续扩张，HBM与Conventional DRAM仍竞逐有限的先进制程及晶圆产能，加上新一代产品良率与产出提升仍需时间，预估2027年存储器供应将持续吃紧；高价HBM4占比提升、HBM4e于2027年下半年逐步放量亦推动价格上行。
标的新闻公告精选关注度7070 兆易创新增加2026年与长鑫集团DRAM关联交易额度至78.54亿元
兆易创新9月28日公告称，因DRAM产品代工价格随市场行情上涨，公司增加2026年度与长鑫集团的日常关联交易预计额度21.43亿元，增加后2026年度预计额度为78.54亿元，交易内容为向长鑫集团采购代工生产DRAM相关产品。公司同时预计2027年1-4月与长鑫集团的日常关联交易额度为44.11亿元。该事项尚需提交公司股东会审议，关联股东将回避表决，交易按市场公允价格定价，不影响公司独立性。
推荐理由：公司因DRAM代工价格上涨将2026年与长鑫集团关联交易额度上调至78.54亿元，涉及存储代工采购量级。
标的新闻公告精选关注度8484 兆易创新上调长鑫集团DRAM代工关联交易额度至78.54亿元
兆易创新公告将2026年度与长鑫集团的日常关联交易预计额度由57.11亿元上调至78.54亿元，并预计2027年1—4月DRAM采购代工额度达44.11亿元。公司称额度上调源于DRAM代工价格上行以及利基型DRAM、定制化存储新产品陆续推出，2026年1—8月实际发生金额为35.96亿元，9—12月仍有42.58亿元额度。2025年双方DRAM采购代工实际发生约11.8亿元。
推荐理由：兆易创新将2026年长鑫DRAM代工关联交易额度上调至78.54亿元，采购量级直接对应利基型DRAM的收入弹性。
标的新闻公告精选关注度6262 澜起科技成功量产DDR5第五子代RCD芯片
澜起科技成功量产DDR5第五子代RCD芯片。现有材料仅有标题，未披露产量、客户或收入等具体信息。
推荐理由：澜起科技DDR5第五子代RCD芯片实现量产，可据此跟踪其芯片产品的代际迭代节奏。
新浪财经 · 滚动关注度5454 三星高管预计明年HBM将占行业DRAM产能近30%
三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示，预计明年高带宽内存（HBM）将占到DRAM芯片制造商晶圆总产能的近30%，高于目前的约20%。HBM与标准DRAM争夺相同的晶圆产能，扩大HBM产量可能限制标准DRAM的供应。该市场目前主要由SK海力士、三星电子和美光科技主导。