消息称三星电子手机四季度最高减产30%
三星电子移动体验事业部(MX)已开始削减第四季度产量,减产幅度最高达30%。据韩媒报道,此举原因是假日季内存芯片价格大幅上涨,导致营业利润率承压。
三星电子移动体验事业部(MX)已开始削减第四季度产量,减产幅度最高达30%。据韩媒报道,此举原因是假日季内存芯片价格大幅上涨,导致营业利润率承压。
三星电子移动体验事业部(MX)已开始削减今年第四季度手机产量,减产幅度最高达30%。相关消息来自韩媒,外界认为假日季内存芯片价格大幅上涨、营业利润率承压是此次减产的原因。
据中国台湾媒体《电子时报》10月2日报道,美光亚洲DRAM前端制造副总裁、美光台湾董事长董慧璐确认AI正推动强劲的内存需求,公司正同步推进四大基地的扩产。美光将供应紧张的判断明确延伸至2027至2028年,并称这是本次财报给出的增量信息。
集邦咨询最新存储器产业研究显示,2026年第四季度DRAM原厂持续将先进制程投入服务器高性能产品,整体维持供不应求格局,但合约价涨势放缓,一般型DRAM合约价预计季增10%-15%。NAND Flash市场呈现AI加速与消费性需求偏弱但仍连带涨价的双轨发展,整体合约价预计季增15%-20%。
AI算力与数据中心需求持续释放,DDR5、HBM、3D NAND等存储芯片技术升级正拓展产业空间,存储芯片成为影响算力效率的关键环节。机构认为,AI服务器与高容量内存需求扩张,叠加产能向高附加值产品集中、新增产能释放周期较长,存储芯片价格有望获得支撑,供应商议价能力有望持续增强。
三星电子执行副总裁Kim Taewoo预计,2027年HBM将占全球DRAM晶圆总产能的近30%,高于目前约20%的水平,因HBM与传统DRAM共用晶圆产能,传统DRAM供应空间将被进一步压缩。
三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示,预计明年高带宽内存(HBM)将占到DRAM芯片制造商晶圆总产能的近30%,高于目前的约20%。HBM与标准DRAM争夺相同的晶圆产能,扩大HBM产量可能限制标准DRAM的供应。该市场目前主要由SK海力士、三星电子和美光科技主导。